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发布时间:2022-04-25 10:59:00 作者:麦得恩自动化





晶闸管导通条件为加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管2驱动小型继电器利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路,如右上图所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。用于大功率开关电路电机调速逆变电路。达林顿管原理达林顿管又称复合管。它将二只三极管适当的连接在一起,以组成一只等效的新的三极管。这等效于三极管的放大倍数是二者之积。达林顿管的应用达林顿管
热插板控制IC(免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响;电池充电和管理IC。包括电池充电保护及电量显示IC,以及可进行电池数据通讯“智能”电池IC;线性调制IC(如线性低压降稳压器LDO等,包括正向和负向调节器,以及低压降LDO调制管;在交流/直流(AC/DC变换中,低的通态电阻,符合计算机和电信应用中更加适配器和电源的需要。在电源电路设计方面,一般待机能耗已经降到1W以下,并可将电源效率提高至90%以上。要进一步降低现有待机能耗,则需要有新的IC制造工艺技术及在低功耗电路设计方面的突破。
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